Získejte výkon, který několikanásobně překonává rozhraní SATA v kompaktním formátu s SSD IRDM 3. generace společnosti GoodRam, vybaveným 8-kanálovým ovladačem Phison E12 s DRAM bufferem. Jedná se o vysoce kvalitní SSD využívající 3D TLC NAND flash paměť. Poskytuje kapacitu 512 GB ve formátu M.2 2280. Pro připojení do zařízení využívá rozhraní PCIe Gen 3.0 x4. Nabízí rychlost čtení/zápisu až 3200/2000 MB/s a náhodného (4K) čtení/zápisu 295 000/500 000 IOPS. Má životnost 300 TBW. Disk má vysokou odolnost proti nárazům a otřesům.
Hlavní vlastnosti
Rozhraní PCIe Gen 3.0 x4
Rychlost čtení/zápisu až 3200/2000 MB/s
Formát M.2 2280
Ovladač Phison E12
Flexibilní formát
IRDM Gen.3 je dostupný v M.2 2280 formátu s PCIe rozhraním. Může být zapojen do nových základních desek pro stolní počítače a notebooky s kompatibilním M.2 portem, který podporuje NVMe standard.
Chybí či je nepravdivý některý důležitý parametr? Uvedené informace jsou pouze orientační, před zakoupením ve vybraném obchodě doporučujeme ověřit, že prodávaný model má klíčové vlastnosti dle vašich požadavků. I když se snažíme o maximální přesnost informací, bohužel nemůžeme zaručit jeho 100% správnost. Ceny produktů jsou uváděny včetně DPH.
Představení funkcí SSD disku Goodram IRDM M.2 s rychlostí čtení/zápis 3200/3000 MB/s
Nabízí několikanásobně vyšší výkon než starší rozhraní SATA III, což znamená 6x vyšší rychlost načítání a rychlejší zápis při hraní vašich oblíbených her. Mezi jeho parametry patří: Rozhraní PCIe 3x4 (M key), NVMe 1.3, Formát M.2 2280, 8kanálový řadič Phison E12 s vyrovnávací pamětí DRAM, 3D TLC NAND flash technologie, IOPS (čtení) 149 000 (256 GB) až 490 000 (2 TB), IOPS (zápis) 250 000 (256 GB) až 500 000 (2 TB), Životnost 1,8 milionu hodin MTBF a 5letá záruka omezená parametrem TBW.
Jak se vyráběly tyto disky? Reportáž z továrny s ukázkami
Jak probíhá výroba a kontrola kvality v továrně Wilk Elektronik, která je známa pod značkami GoodRam a IRDM? Ve videu vám ukážeme výrobu paměťových modulů a dalších těchto produktů
